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产品信息
CSD18532Q5BT VSON-Clip-8 通道MOS管
CSD18532Q5BT产品信息型号 CSD18532Q5BT品牌 TI封装 VSON8批号 21+CSD18532Q5BT规格信息:
制造商:Texas Instruments
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:VSON-Clip-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:100 A
Rds On-漏源导通电阻:3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:58 nC
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:156 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:NexFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1 mm
长度:6 mm
系列:CSD18532Q5B
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:5 mm
商标:Texas Instruments
正向跨导 - 小值:143 S
下降时间:3.1 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:7.2 ns
工厂包装数量:250
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:22 ns
典型接通延迟时间:5.8 ns
单位重量:134 mg
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